如果您在採購SiC晶圓,今天面對的基板市場並不是一個市場。6吋在供給過剩下價格被壓垮,實際上已經是同質化的大宗商品市場;8吋量產才剛起步,連標準行情都尚未形成。 在這兩者之間,供應商版圖正被快速重繪——美國最大的基板廠商剛從破產保護中走出,韓國唯一的SiC基板專業子公司則於2026年7月進入清算程序。僅靠比較報價單上的數字,已經讀不懂這個市場。
問題所在:6吋有行情,8吋沒有
6吋基板價格的軌跡如下。
| 時期 | 6吋基板價格 (每片) | 出處 |
|---|---|---|
| 2024年年中 | 跌破$500 | TrendForce (2024.10) |
| 2024年第四季 | $400或更低 | TrendForce (2024.10) |
| 2025年 | 主流報價$400上下,近成本價銷售蔓延 | TrendForce (2025.11) |
| 2026年7月 | 據報導已觸底反彈——未公布具體價格 | 業界報導 (2026.7) |
2026年7月的反彈報導稱,供給趨緊,增量訂單開始出現溢價,但沒有公布具體的價格數字。順帶一提,「崩盤前6吋基板曾賣到$1,500左右」的說法在業界流傳甚廣,但我們未能確認這一數字的一次出處,因此不將其用作基準。
8吋則是另一種局面——公開的價格資訊乾脆中斷了。綜合TrendForce系報導,中國境內的平均報價從2023年底的$3,000~4,000跌至2024年第二季的約$2,000——半年腰斬——2025年第一季估計在$1,000左右。此後再無公開價格。這些來源一致的表述是:8吋仍處於試量產階段,標準行情尚未形成,而我們同樣未能從任何公開來源確認2026年8吋的實際成交價。 在實務上,這意味著拿到報價後沒有可對照的市場基準線。
為什麼會這樣:中國供給過剩與向8吋的轉移
壓垮6吋價格的是什麼
中國基板產能的擴張速度遠超需求成長。據digitimes統計(2024.10),中國SiC基板年產能擴張如下。
| 年份 | 中國SiC基板年產能 |
|---|---|
| 2022年 | 46萬片 |
| 2023年 | 117萬片 |
| 2024年 (預估) | 222萬片 |
| 2025年 (預估) | 390萬片 |
按2025年預估值計算,三年擴張超過8倍。需求卻沒有跟上——據Yole(2025.12),2025年上游(基板·磊晶)產能利用率約50%,元件產線也只有約70%,疊加電動車需求放緩,Yole預期下行週期將持續到2027~2028年。結果是:2024年全球N型基板營收為10.4億美元,年減9%(TrendForce, 2025.5)。產能爆炸式成長,而市場本身在萎縮。EV放緩也體現在元件廠商的業績上——STMicroelectronics 2025年年營收為118.0億美元,年減11.1%(ST年報, 2026)。關於中國6吋擴產對價格施壓的全局,我們在2026 SiC市場展望中做過整理。
市占版圖已經改變。按TrendForce 2025年5月的數據,Wolfspeed以33.7%居2024年N型基板營收首位,但中國基板前兩大業者合計達34.4%——已與Wolfspeed持平。 前四大供應商(其中兩家為中國企業)合計占82%。以產能計,中國業者約占SiC晶圓·磊晶片產能的40%(Yole, 2025.12)。中國材料也並不侷限於低階——2023年5月,Infineon與兩家中國基板業者簽訂長期供貨協議,從150mm起步,第二階段計劃擴展至200mm。這是西方IDM正式將中國基板納入合格供應鏈的案例。
向8吋的轉移,以及實際的速度
6吋被壓到近成本價後,歐美·日本·韓國陣營正轉向8吋(200mm)。晶圓面積增加約78%,算上邊緣損失的減少,晶粒(die)數量增加約85%(Power Electronics News)。但同一來源明確指出,單顆晶粒成本的節省並非立竿見影——以1.2kV/100A MOSFET計,200mm的單顆晶粒成本預計要經過5~7年才能降到比150mm低約20%,而在轉型初期,由於基板價格與製程尚未成熟,根本沒有節省。
主要業者的200mm時間表:
| 公司 | 據點 | 200mm現況 |
|---|---|---|
| Wolfspeed | 美國紐約州Mohawk Valley | 2022年投產的全球首座200mm專用SiC元件廠。150mm元件廠(Durham)已關閉,產能移轉 |
| Infineon | 奧地利Villach·馬來西亞Kulim | 2025年第一季首批200mm產品交付客戶 |
| STMicroelectronics | 義大利Catania | 2026年開始生產,2033年達到滿載(每週15,000片),投資約50億歐元 |
| Bosch | 美國加州Roseville | 收購的晶圓廠正改造為200mm,目標2026年產出首批商用晶片。最高2.25億美元的CHIPS直接補助已敲定(2026.7) |
| onsemi | 韓國富川 | 150/200mm兼容產線。據分析報導,200mm於2025年通過認證,2026年爬坡。滿載時年產200mm晶圓100萬片以上 |
三菱電機(計劃在熊本新建晶圓廠)與Rohm(宮崎據點)也公布了8吋計劃,但我們未能透過一次來源確認其2026年時點的進展,因此未列入上表。中國也已進入8吋——ST與中國本土夥伴設立的合資公司(總投資32億美元)於2025年第四季開始規模量產,滿載目標為每週10,000片車用8吋晶圓(TrendForce, 2025.3)。中國業者走得更遠,接連發布12吋乃至14吋樣品,不斷把規格競賽提前(TrendForce, 2026.3)。
不過轉型速度落後於早期預期。2023~2024年前後的業界預測認為8吋到2026年將占出貨量約15%,但TrendForce 2025年5月的預測把8吋超過總出貨20%的時點定在2030年。Yole同樣認為,要到2027~2028年之後的再成長階段,8吋平台才會驅動市場。8吋為何難,按業界技術解讀,難在晶體成長本身——在超過2,000°C的成長溫度下,直徑越大,溫度均勻性、熱應力、翹曲(bow/warp)與缺陷抑制(微管、基面差排)就同時變得越難,而且SiC的切割與拋光遠比矽困難。
與此同時,新的需求軸出現了。隨著NVIDIA正式公布800VDC資料中心架構路線圖(2026.8),SiC功率元件的資料中心需求正在打開,Wolfspeed披露其FY2026 AI資料中心營收年增一倍以上。另有報導稱NVIDIA Rubin平台將採用SiC中介層(TrendForce, 2025.11)——但那是散熱與封裝需求,與功率元件需求性質不同。