「SiC粉末可以幫我報個價嗎？」這麼一句，等於保證報價前還要再來回至少兩封信。碳化矽這個名稱涵蓋的規格幅度異常寬：一公斤一美元的粉末，和一公斤一千美元的粉末，會落在同一頁搜尋結果裡。煉鋼脫氧劑與晶體成長原料共用同一個化學式。所以SiC的詢價若從「多少錢」開口，一定停在原地，得先把「究竟是什麼」定下來。本文整理的，是詢價單送出之前採購端該自行固定好的七項規格。
1. 先把等級敲定——小數點一位就讓價格差一個數量級
把SiC粉末分成等級的，首先是純度。
從99.5%走到99.99%，不是「改善了0.49%」。它換掉的是製造路線本身，價格跟著跳一個數量級。
檢查點
詢價單上不要只寫「高純」。要寫成數值區間。SiC ≥ 99.5% 與 SiC ≥ 99.9% 是兩件完全不同的案子。
供參考，綠碳化矽微粉一組具代表性的化學成分如下：
SiC 99.25% / 自由碳 0.05% / SiO₂ 0.35% / 游離矽 0.15% / Fe₂O₃ 0.04%
純度只是其中一個軸。形貌——破碎角形粉、噴霧乾燥造粒、電漿球化微珠——是與純度各自獨立的另一個軸，同樣得指名；三類等級的分野見SiC粉末等級區分。
2. 粒度：「400號」這三個字不該進詢價單
粒度是SiC採購糾紛最集中的一段。同一個數字，換一個標準指的就是另一件東西。
JIS #400 ≈ 30 µm / FEPA F400 ≈ 16.5 µm
同樣是「400」，D50差了將近一倍。只寫粒度號、不寫標準名稱的報價，被錯誤比較幾乎是必然。
W號不是D50
在中國的磨料微粉標準（GB/T 2481.2）中，W號是基本粒粒度區間的上限，不是中位徑。
推算中位徑D50這一欄只是區間的中點。GB/T 2481.2規定的是粉末必須落在區間內的比例，而不是中位徑，所以一份合格的W28若粒度分布偏粗，其D50就會高於這個中點——這一欄的用處是把不同報價拉到同一基準上比較，而不是拿來寫進規格書的數值。
在同一個前提下——粒度分布大致落在區間中央——把W28讀成「D50 28 µm」，會把實際粒度高估約15%。
測試方法也會讓數值移動
- 沉降法——中國磨料微粉業界的傳統做法，報出的是流體力學等效直徑。
- 雷射繞射法（ISO 13320）——韓國與日本採用的標準，報出的是光散射等效直徑。
同一個試樣，沉降法量到8 µm，雷射繞射法可能量到10 µm。 沉降法一般偏細。
請這樣寫
D50 30 ± 2 µm（相當於 JIS R6001 #400）— 依 ISO 13320 雷射繞射法，濕式分散
少了這一行，三家的報價就沒辦法攤在一起比。
3. 不要停在D50——分布與粗粒才決定性能
兩支D50相同的粉末，一旦把**D10、D90與分布寬度span（=(D90 − D10)/D50）**拿來比，可能是完全不同的材料。
- 分布偏寬 → 堆積行為與燒結收縮率跟著漂移，批次間再現性隨之消失
- 粗粒未受管制 → 研磨與拋光時出現刮傷，燒結體內形成缺陷起始點
請把D10 / D50 / D90連同粗粒一起要。只報一個D50的COA，本身就是分布完全沒在管的訊號——這也是進料檢驗要把粒度分析和形貌、成分檢查綁在一起做的理由，做法整理在粉末品質驗證方法論。
4. 鐵（Fe）：單位先對齊，再談價格
供應商的COA多半以Fe₂O₃（氧化鐵）報出，而買方規格多半寫Fe（元素）。換算係數是0.6994。
最後一列才是真正花錢的那一列。你要的是Fe 0.05%，卻收下以「Fe₂O₃ 0.05%」認證的料，等於替自己從未要求的約30%餘裕付錢。單位一處沒對上，單價就變了。
5. 鈦（Ti）：不是議價項目，是過與不過的門檻
陶瓷、精密陶瓷以及半導體鄰近應用的規格，越來越常把Ti明確排除。有四個理由值得弄懂。
它在晶格內部具有電性活性
在4H-SiC中，Ti於導帶以下約E_C − 117 meV與E_C − 160 meV處形成受體能階，分別對應六方與立方晶格位置。但要留意這兩個數值說明了什麼、又沒有說明什麼。在3.26 eV的能隙裡，它們屬於淺能階，距禁帶中心約1.5 eV，而Shockley–Read–Hall復合是由靠近禁帶中心的能階主導的——所以Ti在SiC中是很差的復合中心，4H-SiC中公認限制壽命的缺陷是與碳空位相關的Z₁/₂能階，位於E_C − 0.65 eV附近，而不是Ti。這裡反對Ti的理由在於它根本就具有電性活性：它會在晶格中引入陷阱與發光中心，而其密度取決於一個誰也沒有指定的雜質。在矽裡，Ti確實位於禁帶中心附近，幾十年來就是教科書級的「lifetime killer」，這也是元件廠商習慣把它當作要排除、而不是設限的物質的原因——但那是矽的機制，並不是這些SiC能階所支持的結論。
它形成不受控的第二相TiC
SiC–TiC在刻意設計的前提下是相當好的複合材料，韌性與導電性同時提升。問題是，以雜質身分進來的Ti沒有人設計過。尺寸與位置都不受控的TiC析出物，會造成局部熱膨脹失配，接著是微裂紋，接著是批次間的性能離散。
買方之所以指定「不含Ti」，理由不是Ti絕對有害，而是以這種形態存在時它的效應無法做到再現。
Ti與鐵是一體移動的
在艾奇遜法（Acheson）中，原料裡含Fe、含Ti的氧化物於高溫下被還原成金屬熔體，冷卻時析出為Fe–Si相，以及被包覆在其內部的Fe–Si–Ti合金相。Ti就困在鐵相裡面。
管不住鐵的廠，也管不住鈦。 這兩項規格在物理上瞄準的是同一批雜質。
Ti的起點在矽砂礦，不在冶煉爐
Ti是隨原料矽砂中的重礦物——鈦鐵礦、金紅石之類——一起帶進來的。所以該向供應商提的問題不是「你們有除Ti嗎」，而是下面三個。
供應商審核三問
- Ti用什麼儀器、什麼方法量，偵測極限是幾ppm？
——偵測極限100 ppm的儀器所給的「未檢出」，不帶任何資訊。
- 原料矽砂的產地及其TiO₂含量，你們如何規範與管制？
- 你們的磁選段數與磁場強度、酸洗條件（酸種、濃度、時間）為何？
這三題答不出具體內容的供應商，無法在批次層級保證Ti。價格再好，也不是可以往下走的對象。
6. 為何0.5 / 10 / 30 µm要成套採購：三峰堆積設計
買方常問，三個粒度為什麼要一起買。這不是巧合，而是多峰級配堆積設計。
單一粒度粉末的最大堆積率約為60～64%——但這個數字是球體的隨機密堆積。單一粒度的角形SiC粉末堆積率還低於此值，因為帶稜角的顆粒會相互咬合並搭橋，所以應把60～64%看作一個偏樂觀的參照，而不是實際材料的起點基線。加入中等粒徑顆粒去填粗顆粒之間的空隙，再加入細顆粒去填這些顆粒之間的空隙，堆積率便升到75～85%。每一階的粒徑比通常取1/3～1/10。
堆積率上升之後：
- 生胚密度 ↑ → 燒結收縮率 ↓ → 尺寸精度 ↑
- 燒結助劑用量 ↓ → 最終純度 ↑
- 氣孔率 ↓ → 強度、熱傳導率與耐電漿性 ↑
所以三檔成套採購不是「用了好幾個尺寸」，而是一套設計。正因如此，三個品目的純度與雜質規格必須壓在同一水準，並且盡量取自同一工廠、同一原料體系。把次微米、中等與粗粒各檔配起來，SiC粉末產品線正是依這個理由組成的。
7. 合約與物流：貿易商真正設防線的地方
最後一項最關鍵。這條進了合約，供應商一開始就不會把有疑慮的料送過來。 用事前的合約、而不是事後的索賠來移轉品質風險，這才是採購實務的核心。同一批貨在通關與分類上的一面——HS稅則、FTA協定稅率、K-REACH——見碳化矽粉末輸韓通關指南。
詢價前檢查清單
- 等級是否已固定為數值區間（
SiC ≥ 99.5% 這種寫法）？
- D50、公差、標準名稱、測試方法四項是否都寫上了？
- 是否一併索取了D10 / D90 / 粗粒？
- 是否以元素為基準指定Fe，並在旁邊註明Fe₂O₃換算？
- 是否要求Ti連同以ppm表示的偵測極限一起提供？
- 是否要求了三批以上量產批次的COA，而不是樣品COA？
- 是否在首次報價階段就把Incoterms、付款條件、C/O與退貨條款攤上桌面？
常見問題
只寫「SiC粉末，高純」，供應商為什麼報不出價？
因為單就純度，跨度就從88%的冶金級一路到99.9999%的晶體成長級，而在這個區間裡製造路線、連同價格會按數量級變化。一份報得出價的詢價單需要：數值化的純度區間、含公差的D50、粒度標準名稱，以及測試方法。
W號和D50是同一件事嗎？
不是。GB/T 2481.2的W號是基本粒區間的上限，不是中位徑。W28指的是20～28 µm這個區間，若粒度分布大致落在區間中央，D50便在24 µm附近，把W28讀成「D50 28 µm」就會把實際粒度高估約15%。該標準規定的是區間內的比例而非中位徑，所以區間中點只是比較用的參照，不是規格數值。
COA上的Fe₂O₃要怎麼換算成元素Fe？
乘以0.6994。因此Fe₂O₃ 0.07%對應Fe 0.049%，可通過「Fe ≤ 0.05%」的規格。反過來要求「Fe₂O₃ ≤ 0.05%」就屬於過度規格——它對應Fe 0.035%，等於替自己沒要求的餘裕付錢。
鈦為什麼被當成過與不過的項目，而不是可議的限值？
因為Ti在晶格中具有電性活性，而且以非設計的雜質身分進來時，它還會析出不受控的TiC。它在4H-SiC中的受體能階（約E_C − 117 meV與E_C − 160 meV）屬於淺能階，並不位於禁帶中心，所以其作用是陷阱中心，而不是Ti在矽裡那種壽命殺手——4H-SiC中公認限制壽命的缺陷是與碳空位相關的Z₁/₂能階。這兩種效應都無法在批次之間做到再現，因此實務上要問的是供應商能否提出偵測極限、原料砂TiO₂管制與分選條件，而不是能給多少折扣。
為什麼0.5、10、30 µm三檔要一起買？
因為堆積率是一個設計變數。單一粒度粉末的上限落在60～64%附近——那是球體的隨機密堆積，角形粉末還要更低——而粒徑級差大致按1/3～1/10排列的多峰配比可達75～85%，尺寸精度、最終純度與燒結體性能隨之改善。正因如此，三檔應帶同一套純度與雜質規格，最好來自同一工廠、同一原料體系。
參考資料（公開來源）
- Phys. Rev. B 55, 13618 — Electrical properties of the titanium acceptor in silicon carbide
- J. Iron Steel Res. Int. (2024) — Impurity formation mechanism of silicon carbide crystals smelted by Acheson process
- Ceramics International (2021) — Occurrence forms of major impurity elements in silicon carbide
- Ceramics International (2025) — Packing density optimization of multi-modal SiC powder feedstocks
- JIS R6001 / GB/T 2481.2 / GB/T 3045 / ISO 13320
上列表格中的數值為參考值，供規格交叉核對之用；實際判定取決於所引用的標準與測試條件。
上面七項沒有一項是可選的——針對寬鬆規格給出的報價不是價格，而是每次都換一種材料。Nami Tech Solutions（NTS）用工廠自己的語言把同一份書面規格直接遞給工廠，讓報價回來時能並排比較，再在出貨前把每個生產批次的 COA 對照同一份規格來讀。
