SiC功率器件以四条产品线抵达采购方——肖特基二极管、MOSFET、功率模块与裸芯片——本类目是成品硅而非原料,因此决定入厂验收的是认证等级与可追溯性,而不是粉末化学。器件直接来自一家自有晶圆厂的中国SiC专业IDM,而非贴牌代工厂;由于芯片就在该产线上制造、而非出自某个不具名的代工厂,一旦器件失效,便可凭批次号沿工艺回溯。任何器件首先要厘清的一点是:电压和电流并不能标识它——标称"1200V 40A"的器件可能是单芯片,也可能是两颗30 A芯片在一个封装内并联,而它的认证等级——消费级、工业级或车规级——决定了测试规程以及厂商在工艺变更时通知你的义务。等级按实际运行情况标注:肖特基二极管全部为工业级,模块全部为车规级且按单生产。
这些器件建立在4H-SiC晶圆之上;供应背后向更大衬底的转移,见6英寸到8英寸的晶圆过渡。
| 产品线 | 电压 | 额定 | 封装 |
|---|---|---|---|
| SiC肖特基二极管 | 650V · 1200V | 4–40 A,另有1200V双芯片配置 | TO-247-2/-3, TO-220-2, TO-220F-2, TO-252-2, DFN5×6 |
| SiC MOSFET | 650V · 750V · 800V · 1200V | Rds(on) 12–700 mΩ | TO-247-3/-4, TO-263-7, TO-252-3, TO-220F-3 |
| SiC功率模块 | 1200V | Rds(on) 1.58–2.6 mΩ | HPD, Mini HPD(按单生产) |
| SiC裸芯片 | 650V – 1200V | 二极管 4–40 A,MOSFET 12–700 mΩ | 芯片级 |