用于光伏逆变器、储能、服务器电源与工业电源的SiC MOSFET，横跨650、750、800与1200V，Rds(on)从12至700 mΩ。消费级、工业级与车规级认证等级贯穿这条产品线，因此等级应按应用选定，而非从电压等级臆断。报价前需要确定的约束是栅极驱动：器件分为0/15 V族与−5/18 V族，硬开关桥式拓扑需要−5/18 V器件——这一点选错，表现为栅极可靠性问题，而不是规格书上的不匹配。
等级
| SKU | 等级 | 典型值 | 应用 |
|---|---|---|---|
| NTS-MOS-650 | 650V平台 | Rds(on)逐个器件给出，Vgs工作范围按族区分 | 服务器电源、工业电源 |
| NTS-MOS-750800 | 750V · 800V平台 | Rds(on)逐个器件给出 | 光伏逆变器、储能 |
| NTS-MOS-1200 | 1200V平台 | Rds(on) 12–700 mΩ | 工业功率变换、硬开关桥 |
封装包括TO-247-3/-4、TO-263-7、TO-252-3与TO-220F-3。含Rds(on)、栅极范围、动态参数与逐个器件等级的完整明细清单不予公开发布，询价时发送。
NTS-MOS-1200 — 1200V平台
产品线中最宽的Rds(on)跨度，12至700 mΩ，覆盖从低损耗桥臂到较小的辅助开关。询价时请附上拓扑与开关方式：桥臂是硬开关还是软开关，在导通电阻收窄器件之前，先决定0/15 V与−5/18 V栅极族。
我们核验的内容
- 芯片来自自有晶圆厂还是代工厂，若为代工，是哪家代工厂、封装在何处完成
- 可靠性认证等级与AEC-Q101状态
- 工程变更通知（PCN）政策与最后购买（LTB）窗口
- 8D处理——NTS直接与厂商质量部门处理失效问题