4H-SiC 晶圆New

用于功率半导体的4H-SiC衬底——肖特基二极管与MOSFET。SKU按晶圆厂的需求方式划分：按等级（prime用于器件量产，dummy与test用于工艺调试），以及晶圆是裸片到货还是已按你的规格生长好外延层。

8英寸面的可用面积约为6英寸的1.78倍——这约78%的增益正是把器件产线推向更大尺寸的原因。

等级

NTS-SICW-6P — 6英寸 prime

用于器件量产与开发批次的350 µm厚度级N型4H衬底。微管密度及其余缺陷判据按订单约定，因为二极管批次可容忍的水平与MOSFET批次可容忍的水平不是同一个数字。

NTS-SICW-6D — 6英寸 dummy / test

同一尺寸、但不带prime级缺陷判据，用于工艺调试、设备验证与短流程测试——这类消耗不应烧掉prime材料。

NTS-SICW-8P — 8英寸 prime

用于下一代产线的8英寸N型4H prime衬底。可供性取决于规格；把你打算跑的规格发来，我们先答复可行性。

NTS-SICW-EPI — 外延片

衬底与外延作为一次采购交付，厚度与掺杂按你的规格。我们审核外延规格表，并逐一对照各制造商自有的格式，因为同一目标在不同外延厂写法不同，而这些差异会以良率而非文书的形式浮现。