如果您在采购SiC晶圆,今天面对的衬底市场并不是一个市场。6英寸在供给过剩下价格被压垮,实际上已经是同质化的大宗商品市场;8英寸量产刚刚起步,连标准行情都尚未形成。 在这两者之间,供应商版图正被快速重绘——美国最大的衬底厂商刚从破产保护中走出,韩国唯一的SiC衬底专业子公司则于2026年7月进入清算程序。仅靠比较报价单上的数字,已经读不懂这个市场。
问题所在:6英寸有行情,8英寸没有
6英寸衬底价格的轨迹如下。
| 时期 | 6英寸衬底价格 (每片) | 出处 |
|---|---|---|
| 2024年年中 | 跌破$500 | TrendForce (2024.10) |
| 2024年第四季度 | $400或更低 | TrendForce (2024.10) |
| 2025年 | 主流报价$400上下,近成本价销售蔓延 | TrendForce (2025.11) |
| 2026年7月 | 据报道已触底反弹——未公布具体价格 | 行业报道 (2026.7) |
2026年7月的反弹报道称,供给趋紧,增量订单开始出现溢价,但没有公布具体的价格数字。顺带一提,"崩盘前6英寸衬底曾卖到$1,500左右"的说法在业内流传甚广,但我们未能确认这一数字的一次出处,因此不将其用作基准。
8英寸则是另一种局面——公开的价格信息干脆中断了。综合TrendForce系报道,中国境内的平均报价从2023年底的$3,000~4,000跌至2024年第二季度的约$2,000——半年腰斩——2025年第一季度估计在$1,000左右。此后再无公开价格。这些来源一致的表述是:8英寸仍处于试量产阶段,标准行情尚未形成,而我们同样未能从任何公开来源确认2026年8英寸的实际成交价。 在实务上,这意味着拿到报价后没有可对照的市场基准线。
为什么会这样:中国供给过剩与向8英寸的转移
压垮6英寸价格的是什么
中国衬底产能的扩张速度远超需求增长。据digitimes统计(2024.10),中国SiC衬底年产能扩张如下。
| 年份 | 中国SiC衬底年产能 |
|---|---|
| 2022年 | 46万片 |
| 2023年 | 117万片 |
| 2024年 (预计) | 222万片 |
| 2025年 (预计) | 390万片 |
按2025年预计值计算,三年扩张超过8倍。需求却没有跟上——据Yole(2025.12),2025年上游(衬底·外延)产能利用率约50%,器件产线也只有约70%,叠加电动汽车需求放缓,Yole预计下行周期将持续到2027~2028年。结果是:2024年全球N型衬底营收为10.4亿美元,同比下降9%(TrendForce, 2025.5)。产能爆炸式增长,而市场本身在萎缩。EV放缓也体现在器件厂商的业绩上——STMicroelectronics 2025年年营收为118.0亿美元,同比下降11.1%(ST年报, 2026)。关于中国6英寸扩产对价格施压的全局,我们在2026 SiC市场展望中做过梳理。
市场份额版图已经改变。按TrendForce 2025年5月的数据,Wolfspeed以33.7%居2024年N型衬底营收首位,但中国衬底头部两家企业合计达34.4%——已与Wolfspeed持平。 前四大供应商(其中两家为中国企业)合计占82%。按产能计,中国厂商约占SiC晶圆·外延片产能的40%(Yole, 2025.12)。中国材料也并不局限于低端——2023年5月,Infineon与两家中国衬底厂商签订长期供货协议,从150mm起步,第二阶段计划扩展至200mm。这是西方IDM正式将中国衬底纳入合格供应链的案例。
向8英寸的转移,以及实际的速度
6英寸被压到近成本价后,欧美·日本·韩国阵营正转向8英寸(200mm)。晶圆面积增加约78%,算上边缘损失的减少,裸片(die)数量增加约85%(Power Electronics News)。但同一来源明确指出,单裸片成本的节省并非立竿见影——以1.2kV/100A MOSFET计,200mm的单裸片成本预计要经过5~7年才能降到比150mm低约20%,而在转型初期,由于衬底价格与工艺尚未成熟,根本没有节省。
主要厂商的200mm时间表:
| 公司 | 基地 | 200mm现状 |
|---|---|---|
| Wolfspeed | 美国纽约州Mohawk Valley | 2022年投产的全球首座200mm专用SiC器件厂。150mm器件厂(Durham)已关闭,产能转移 |
| Infineon | 奥地利Villach·马来西亚Kulim | 2025年第一季度首批200mm产品交付客户 |
| STMicroelectronics | 意大利Catania | 2026年开始生产,2033年达到满产(每周15,000片),投资约50亿欧元 |
| Bosch | 美国加州Roseville | 收购的晶圆厂正改造为200mm,目标2026年产出首批商用芯片。最高2.25亿美元的CHIPS直接补贴已敲定(2026.7) |
| onsemi | 韩国富川 | 150/200mm兼容产线。据分析报道,200mm于2025年通过认证,2026年爬坡。满产时年产200mm晶圆100万片以上 |
三菱电机(计划在熊本新建晶圆厂)与Rohm(宫崎基地)也公布了8英寸计划,但我们未能通过一次来源确认其2026年时点的进展,因此未列入上表。中国也已进入8英寸——ST与中国本土伙伴设立的合资公司(总投资32亿美元)于2025年第四季度开始规模量产,满产目标为每周10,000片车规级8英寸晶圆(TrendForce, 2025.3)。中国厂商走得更远,接连发布12英寸乃至14英寸样品,不断把规格竞赛提前(TrendForce, 2026.3)。
不过转型速度落后于早期预期。2023~2024年前后的行业预测认为8英寸到2026年将占出货量约15%,但TrendForce 2025年5月的预测把8英寸超过总出货20%的时点定在2030年。Yole同样认为,要到2027~2028年之后的再增长阶段,8英寸平台才会驱动市场。8英寸为何难,按业内技术解读,难在晶体生长本身——在超过2,000°C的生长温度下,直径越大,温度均匀性、热应力、翘曲(bow/warp)与缺陷抑制(微管、基平面位错)就同时变得越难,而且SiC的切割与抛光远比硅困难。
与此同时,新的需求轴出现了。随着NVIDIA正式公布800VDC数据中心架构路线图(2026.8),SiC功率器件的数据中心需求正在打开,Wolfspeed披露其FY2026 AI数据中心营收同比增长一倍以上。另有报道称NVIDIA Rubin平台将采用SiC中介层(TrendForce, 2025.11)——但那是散热与封装需求,与功率器件需求性质不同。