面向自行组装的采购方，在封装前供应SiC肖特基与MOSFET芯片。芯片由与封装器件相同的4H-SiC晶圆切割而来，覆盖650–1200V二极管范围与12–700 mΩ MOSFET范围内的两种器件类型。这是一种在韩国难以采购的芯片级器件，因此按询价处理，而非取自常备清单——芯片可供货情况、已知良品芯片（known-good-die）标准与验收依据，在确定批次前逐案确认。
等级
| SKU | 等级 | 典型值 | 应用 |
|---|---|---|---|
| NTS-DIE-SBD | 二极管芯片 | 650V–1200V，覆盖4–40 A | 自行封装的采购方 |
| NTS-DIE-MOS | MOSFET芯片 | 覆盖Rds(on) 12–700 mΩ | 自行封装的采购方 |
含电压、电流或Rds(on)等级、可供芯片尺寸的逐芯片清单不予公开发布，询价时发送。
我们核验的内容
- 芯片来自自有晶圆厂还是代工厂，若为代工，是哪家代工厂、封装在何处完成
- 可靠性认证等级与AEC-Q101状态
- 工程变更通知（PCN）政策与最后购买（LTB）窗口
- 8D处理——NTS直接与厂商质量部门处理失效问题