전력반도체 — 쇼트키 다이오드와 MOSFET — 용 4H-SiC 기판입니다. SKU는 팹의 수요가 나뉘는 방식대로 구분됩니다: 등급별(소자 양산용 prime, 공정 셋업용 dummy·test)로, 그리고 웨이퍼가 베어 상태로 오는지 고객 사양대로 에피층을 이미 성장시켜 오는지로 나뉩니다.
8인치 면은 6인치의 약 1.78배 유효 면적을 가집니다 — 소자 라인을 더 큰 포맷으로 끌어당기는 약 78%의 이득입니다.
등급
| SKU | 등급 | Typical | 용도 |
|---|---|---|---|
| NTS-SICW-6P | 6" Prime | N-type 4H, 350 µm급, 마이크로파이프 밀도 발주별 협의 | 소자 양산·개발 |
| NTS-SICW-6D | 6" Dummy / Test | N-type 4H | 공정 셋업·장비 테스트 |
| NTS-SICW-8P | 8" Prime | N-type 4H | 차세대 라인 |
| NTS-SICW-EPI | 에피 웨이퍼 | 두께·도핑 고객 사양 기준 | 에피 조달 일원화 |
NTS-SICW-6P — 6인치 prime
소자 양산·개발용 350 µm 두께급 N-type 4H 기판입니다. 마이크로파이프 밀도와 나머지 결함 기준은 발주별로 협의합니다 — 다이오드 양산이 허용하는 수준과 MOSFET 양산이 허용하는 수준은 같은 수치가 아니기 때문입니다.
NTS-SICW-6D — 6인치 dummy / test
prime 등급 결함 기준을 뺀 동일 포맷으로, 공정 셋업·장비 검증·숏루프 테스트용입니다 — prime 소재를 소모해서는 안 되는 용도입니다.
NTS-SICW-8P — 8인치 prime
차세대 라인용 8인치 포맷 N-type 4H prime 기판입니다. 공급 가능 여부는 사양에 따라 달라지므로, 양산하려는 사양을 보내주시면 저희가 먼저 가능성을 회신합니다.
NTS-SICW-EPI — 에피 웨이퍼
기판과 에피를 하나의 구매로 납품하며, 두께와 도핑은 고객 사양 기준입니다. 저희는 에피 사양서를 검토하고 제조사별 고유 포맷과 대조합니다 — 같은 목표라도 에피 업체마다 다르게 기술하며, 그 차이는 서류가 아니라 수율로 드러나기 때문입니다.